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ISD18B12
Duration: 6- 12 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~8.0
DIE/DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB18B00
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1810
Duration: 8-16? sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~8.0; Temperature Options: 0 - 50°C
DIE/DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-ES1810
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1806
Duration: 6-12? sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~8.0; Temperature Options: 0 - 50°C
DIE/DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-ES1810
華邦 ISD/WinbondISD
ISD17240
Duration: 160-480 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB17240 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD17210
Duration: 140-420 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB17210 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD17180
Duration: 120-360 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB17180 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD17150
Duration: 100-300 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB17150 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD17120
Duration: 80-240 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB17120 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1790
Duration: 60-180 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB1790 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1760
Duration: 40-120 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB1760 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1750
Duration: 33-100 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB1750 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1740
Duration: 26-80 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB1740 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1730
Duration: 20-60 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE/DIP 28; SOIC 28; ?TSOP 28; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: ISD-COB1730 ISD-ES17xx_USB_PB
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1620B
Duration: 13.3-40 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
SOIC 16; DIE/SOIC 16; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: I16-COB20; I16-COB00
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1616B
Duration: 10.6-32 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
SOIC 16;DIE/SOIC 16;DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: I16-COB20; I16-COB00
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1612B
Duration: 8-24 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
SOIC 16; DIE/SOIC 16; DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: I16-COB20; I16-COB00
華邦 ISD/WinbondISD
ISD1610B
Duration: 6.6-20 sec 秒;Sample Rate (kHz): 4.0~12.0
SOIC 16 ;DIE/SOIC 16 ;DIE
Mask IC
Status*: P; RoHS: Y; Development Tools: I16-COB20;I16-COB00
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